申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727850A

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管，其包括半导体叠层以及位于半导体叠层之上的金属叠层，金属叠层沿自下向上的方向依次包括第一粘附层、金属耦合层、热传导层、第二粘附层，金属耦合层包括平坦层和阻挡层，金属耦合层靠近热传导层的表层结构为阻挡层，金属耦合层靠近第一粘附层的表层结构为平坦层，其中，平坦层的材料具有第一热膨胀系数，阻挡层的材料具有第二热膨胀系数，第一热膨胀系数小于第二热膨胀系数。借此设置，可以有效改善紫外发光二极管的金属内应力问题，减小电极附着异常或脱落的风险，防止电压飘升，提升紫外发光二极管的可靠性。

主权项：1.一种紫外发光二极管，其特征在于：所述紫外发光二极管包括半导体叠层、以及位于半导体叠层之上的金属叠层；所述金属叠层沿自下向上的方向依次包括第一粘附层、金属耦合层、热传导层、第二粘附层；所述金属耦合层包括平坦层和阻挡层，所述金属耦合层靠近所述热传导层的表层结构为所述阻挡层，所述金属耦合层靠近所述第一粘附层的表层结构为所述平坦层，其中，所述平坦层的材料具有第一热膨胀系数，所述阻挡层的材料具有第二热膨胀系数，所述第一热膨胀系数小于所述第二热膨胀系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 紫外发光二极管及发光装置

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