申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117728808A

主分类号：H03K17/081

分类号：H03K17/081;H03K17/14;H03K17/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明属于等离子控制技术领域，公开了适用于串联IGBT的寄生元件和温度系数的电压平衡方法。其技术方案包括以下方法步骤：S1、设计无损缓冲电路；S2、对S1中的无损缓冲电路的电压进行控制；S3、对无损缓冲电路的电压控制进行分析。本发明用可控半导体开关代替电阻，缓冲电容的能量在开关闭合过程中保持，仅在电压幅值高于直流侧电压时，把电容储能向直流侧泄放至直流侧母线电压。缓冲电容的能量没有欧姆损耗，提高半导体开关的效率。

主权项：1.适用于串联IGBT的寄生元件和温度系数的电压平衡方法，其特征在于，包括有以下方法步骤：步骤1、设计无损缓冲电路；步骤2、对步骤1中的无损缓冲电路的电压进行控制；步骤3、对无损缓冲电路的电压控制进行分析。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 适用于串联IGBT的寄生元件和温度系数的电压平衡方法

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