申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727630A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供了一种P型栅增强型HEMT器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，再基于衬底的表面生长外延层，其中，外延层包括逐层设置的缓冲层、沟道层、势垒层以及P型盖帽层，接着定义栅极区，并基于栅极区的四周刻蚀隔离槽，其中，隔离槽延伸至势垒层；再基于隔离槽与位于栅极区的P型盖帽层的表面制作介质层；接着对位于栅极区外的势垒层的表面以及P型盖帽层进行高温脱附处理，以将位于栅极区外的P型盖帽层去除，并在势垒层的表面形成脱附层；最后基于介质层的表面制作栅极，并基于脱附层的表面制作源极与漏极。本申请提供的P型栅增强型HEMT器件及其制作方法具有提升了器件工艺稳定性和导通特性的优点。

主权项：1.一种P型栅增强型HEMT器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；基于所述衬底的表面生长外延层，其中，所述外延层包括逐层设置的缓冲层、沟道层、势垒层以及P型盖帽层；定义栅极区，并基于所述栅极区的四周刻蚀隔离槽，其中，所述隔离槽延伸至所述势垒层；基于所述隔离槽与位于栅极区的P型盖帽层的表面制作介质层；对位于栅极区外的所述势垒层的表面以及P型盖帽层进行高温脱附处理，以将位于栅极区外的P型盖帽层去除，并在势垒层的表面形成脱附层；基于所述介质层的表面制作栅极，并基于所述脱附层的表面制作源极与漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东省科学院半导体研究所 一种P型栅增强型HEMT器件及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD