申请/专利权人：浙江大学绍兴研究院

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727636A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种石英基底微流道制备方法，包括步骤S1：采用激光打孔技术，进行石英玻璃基底的微流道入口和微流道出口的制作，在流道出入口的位置，按照通孔直径大小，采用激光诱导改性；然后将激光诱导改性过的石英玻璃基底，使用氢氟酸腐蚀液进行湿法腐蚀，从而得到垂直方向的微流道入口和微流道出口；步骤S2：采用干法刻蚀工艺，按照预设的微流道版图设计，在石英玻璃基底的表面刻蚀连通微流道入口和微流道出口的微流道凹槽。本发明公开的一种石英基底微流道制备方法，采用激光打孔和干法刻蚀、化学沉积二氧化硅工艺制作微流道，最终实现微流道方式的芯片散热。

主权项：1.一种石英基底微流道制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：采用激光打孔技术，进行石英玻璃基底的微流道入口和微流道出口的制作，在流道出入口的位置，按照通孔直径大小，采用激光诱导改性；然后将激光诱导改性过的石英玻璃基底，使用氢氟酸腐蚀液进行湿法腐蚀，从而得到垂直方向的微流道入口和微流道出口；步骤S2：采用干法刻蚀工艺，按照预设的微流道版图设计，在石英玻璃基底的表面刻蚀连通微流道入口和微流道出口的微流道凹槽；步骤S3：采用等离子增强化学气相沉积工艺，在石英玻璃基底上沉积二氧化硅，以封闭微流道凹槽，从而形成水平方向流道；同时二氧化硅沉积封闭垂直方向的微流道入口的上端口和微流道出口的上端口，形成连通微流道入口与微流道出口的开放流道结构；步骤S4：采用激光打孔技术，制作TGV通孔，在TGV通孔位置，按照通孔直径大小，采用激光诱导改性；然后将激光诱导改性过的石英玻璃基底，使用氢氟酸腐蚀液进行湿法腐蚀，得到垂直的TGV盲孔；步骤S5：采用物理气相沉积工艺在TGV盲孔内侧壁沉积具有粘附性的Ti-Cu结构种子层；通过深孔电镀工艺对石英玻璃基底的TGV盲孔进行镀铜，形成电信号垂直方向互联；步骤S6：TGV盲孔表面平坦化，上表面重新布线金属互联层，经过临时键合、研磨减薄露铜、底部RDL制备和解键合，布线层实现X和Y方向电信号的平面互连；步骤S7：在石英玻璃基底上集成芯片，实现微流道方式的芯片散热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学绍兴研究院 一种石英基底微流道制备方法

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