申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2023-06-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727719A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/498;H01L23/00;H01L23/31;H01L21/56

优先权：["20220919 US 17/933149"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：本公开涉及半导体装置和堆叠混合基底的方法。半导体装置具有：RDL基底；和混合基底，具有多个凸块。混合基底被接合到RDL基底。包封剂被沉积在混合基底和RDL基底周围，其中凸块被嵌入在包封剂内。混合基底具有：核心基底；第一RDL，被形成在核心基底的第一表面上；导电支柱，被形成在第一RDL上；和第二RDL，在核心基底的第二表面上。包封剂的部分被去除以暴露导电支柱。RDL基底具有：载体；和RDL，被形成在载体的表面上。在将混合基底接合到RDL基底之后，载体被去除。替代地，RDL基底具有：核心基底；第一RDL，被形成在核心基底的第一表面上；和第二RDL，被形成在核心基底的第二表面上。

主权项：1.一种半导体装置，包括：重分布层RDL基底；混合基底，包括多个凸块，其中所述混合基底被接合到所述RDL基底；和包封剂，被沉积在所述混合基底和RDL基底周围，其中所述凸块被嵌入在所述包封剂内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 半导体装置和堆叠混合基底的方法

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