申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727769A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778

优先权：["20220919 DE 102022209797.1"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：一种半导体结构元件，其构造为垂直HEMT100，所述半导体结构元件具有由氮化镓GaN制成的衬底1、布置在其上的漂移层2和布置在其上方的由源电极10侧向接触的异质外延结构14，所述异质外延结构适合于通过构造二维电子气6来提供导电的通道。

主权项：1.一种半导体结构元件，其构造为垂直HEMT100，所述半导体结构元件具有由氮化镓GaN制成的衬底1、布置在所述衬底上的漂移层2和布置在所述漂移层上方的由源电极10侧向接触的异质外延结构14，所述异质外延结构适合于通过构造二维电子气6来提供导电的通道，其特征在于，所述异质外延结构14具有多个彼此上下放置的层序列4a、5a、4b、5b、4c、5c，所述多个彼此上下放置的层序列构造为用于提供多个彼此上下布置的、由二维电子气6a、6b、6c构成的通道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗伯特·博世有限公司 垂直多通道氮化镓晶体管

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