申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2023-11-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727748A

主分类号：H01L25/075

分类号：H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：具有相对的出光面和背面的半导体叠层，半导体叠层沿出光面到背面的方向包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在背面一侧，半导体叠层具有暴露出第一半导体层的第一台面和与第一台面相邻的第二台面；形成于半导体叠层背面的第一电极，该第一电极至少环绕部分第二台面，且环绕部分第二台面的第一电极向出光面的方向延伸；其中第一电极具有第一倒角部，第二台面具有第二倒角部，第一电极与第二台面具有一最小距离L，第二倒角部的曲率半径大于或等于本申请技术方案通过优化发光区域倒角部的设计结构来减弱尖端效应，提升发光二极管耐正向ESD的能力，进而提高产品可靠性。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：半导体叠层，具有相对的出光面和背面，所述半导体叠层沿所述出光面到所述背面的方向包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在所述背面一侧，所述半导体叠层具有暴露出所述第一半导体层的第一台面和与所述第一台面相邻的第二台面；第一电极，形成于所述半导体叠层背面，所述第一电极至少环绕部分所述第二台面，且环绕部分所述第二台面的所述第一电极向所述出光面的方向延伸；其中，在所述半导体叠层的俯视方向上，所述第一电极具有第一倒角部，所述第二台面具有第二倒角部，所述第一倒角部与所述第二倒角部对应设置；所述第一电极与所述第二台面具有一最小距离L，所述第二倒角部的曲率半径大于或等于

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及发光装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD