申请/专利权人：芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2024-02-02

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727755A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L29/36;H01L21/8222

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种静电放电保护器件及其制作方法。该静电放电保护器件的制作方法包括：在基底中形成相接的第一导电类型阱区以及第二导电类型阱区；在基底中形成第一导电类型加浓区，第一导电类型加浓区位于第一导电类型阱区的上方且掺杂浓度大于第一导电类型阱区；在基底中形成第二导电类型加浓区，第二导电类型加浓区位于第二导电类型阱区的上方且与第一导电类型加浓区相接，第二导电类型加浓区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度。如此静电放电保护器件的触发电压和保持电压都会下降，使得静电放电保护器件的性能在设计窗口内，满足半导体器件的静电放电保护需。本发明提供的静电放电保护器件可以利用上述的制作方法制成。

主权项：1.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括基底，所述基底中形成有第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第一导电类型加浓区和第二导电类型加浓区；所述第一导电类型阱区和所述第二导电类型阱区形成在所述基底内，所述第二导电类型阱区位于所述第一导电类型阱区的侧边且与所述第一导电类型阱区相接，第一导电类型与第二导电类型相反；所述第一导电类型加浓区位于所述第一导电类型阱区的上方，所述第一导电类型加浓区的掺杂浓度大于所述第一导电类型阱区的掺杂浓度；所述第二导电类型加浓区位于所述第二导电类型阱区的上方，所述第二导电类型加浓区与所述第一导电类型加浓区相接，所述第二导电类型加浓区的掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司 静电放电保护器件及其制作方法

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