申请/专利权人：北京爱杰光电科技有限公司

申请日：2020-07-10

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111624708B

主分类号：G02B6/124

分类号：G02B6/124;G02B6/12;G02B6/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.09.29#实质审查的生效;2020.09.04#公开

摘要：本发明公开了一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统及其方法，应用于微电子集成技术领域，包括：衬底；隐埋氧化物层，隐埋氧化物层形成在衬底上；第一波导，第一波导形成在隐埋氧化物层上；第一波导上设置有光源器件和纵向光波导；第二光波导，第二光波导形成在激光器件和纵向光波导上；第二光波导与激光器件为绝热倒锥设置。本发明利用传统微电子领域的CMOS工艺实现高效率纵向光学耦合结构的制备，通过巧妙地设计耦合结构、波导尺寸及光栅参数等，可实现理论上90％以上的耦合效率；可实现片上光源的直接耦合将极大程度提高光芯片的集成度并降低生产成本，从而大大推进光链路的发展。

主权项：1.一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统，其特征在于，包括：衬底1；隐埋氧化物层2，所述隐埋氧化物层2形成在所述衬底1上；第一波导3，所述第一波导3形成在所述隐埋氧化物层2上；所述第一波导3上设置有光源器件4和纵向光波导5；第二波导6，所述第二波导6形成在所述光源器件4和所述纵向光波导5上；所述第二波导6与所述光源器件4为绝热倒锥设置；所述纵向光波导5包括：第一纵向光波导层51、第二纵向光波导层52和第三纵向光波导层53，所述第二纵向光波导层52位于所述第一纵向光波导层51和所述第三纵向光波导层53之间；所述第一波导3设置有第一光栅31和第二光栅32，所述第一光栅31位于所述第一纵向光波导层51下方，所述第二光栅32位于所述第二纵向光波导层52下方；所述第二波导6设置有第三光栅61，所述第三光栅61位于所述第二纵向光波导层52上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京爱杰光电科技有限公司 一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统及其方法

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