申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2021-12-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114334416B

主分类号：H01F41/02

分类号：H01F41/02;H01F1/057

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种固液相分离扩散工艺制备高性能钕铁硼磁体的方法。将附着扩散源的磁体进行一级液相扩散热处理，温度高于辅合金B的熔点且≤600℃，时长30‑80h；而后进行二级固相扩散热处理，温度800‑900℃，时长0.5‑3h；最后进行退火热处理，温度400‑500℃，时长3‑5h；所述磁体由主相合金A为RaFe100‑a‑bBb和辅合金B为RcM100‑c制得，其中R为Pr20Nd80或Pr25Nd75合金，M为Al、Cu、Zn、Co、Ni中的一种或几种，a、b、c为重量百分含量×100且满足：26≤a≤32，0.9≤b≤1.1，55≤c≤95；辅合金B的熔点低于600℃。

主权项：1.一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将附着扩散源的磁体进行一级液相扩散热处理；而后进行二级固相扩散热处理；最后进行退火热处理得到扩散磁体；所述磁体由主相合金A和辅合金B制得；所述主相合金A的名义成分为RaFe100-a-bBb，辅合金B的名义成分为RcM100-c，其中R为Pr20Nd80、Pr25Nd75合金中的一种，M为Al、Cu、Zn、Co、Ni中的一种或几种，a、b、c为重量百分含量×100且满足以下关系：26≤a≤32，0.9≤b≤1.1，55≤c≤95；辅合金B的熔点低于600℃；所述扩散源为含Dy或Tb的颗粒；所述一级液相扩散热处理的温度高于辅合金B的熔点且≤600℃，时长为30-80h；所述一级液相扩散热处理的温度为400-600℃；所述二级固相扩散热处理的温度为800-900℃，时长为0.5-3h；所述退火热处理的温度为400-500℃，时长为3-5h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种固液相分离扩散工艺制备高性能钕铁硼磁体的方法

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