申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-07-24

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112309461B

主分类号：G11C11/417

分类号：G11C11/417

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：一种SRAM存储结构、存储器及控制方法，所述SRAM存储结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端为所述存储结构的第一存储节点，所述第二反相器的输入端为所述存储结构的第二存储节点；控制单元，用于在所述第一存储节点写入高电位时控制所述第一存储节点与所述第二反相器隔离，在所述第二存储节点写入高电位时控制所述第二存储节点与所述第一反相器隔离，避免了存储节点在写入高电位时，被对应的反相器制约，从而提高了器件的写噪声容限。

主权项：1.一种SRAM存储结构，其特征在于，包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端为所述存储结构的第一存储节点，所述第二反相器的输入端为所述存储结构的第二存储节点；控制单元，控制单元分别与第一反相器和第二反相器相连，用于在所述第一存储节点写入高电位时控制所述第一存储节点与所述第二反相器隔离，在所述第二存储节点写入高电位时控制所述第二存储节点与所述第一反相器隔离；所述控制单元包括：第一控制晶体管和第二控制晶体管，所述第一控制晶体管连接所述第一存储节点和所述第二反相器的输出端；所述第二控制晶体管连接所述第二存储节点和所述第一反相器的输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 SRAM存储结构、存储器及控制方法

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