申请/专利权人：友威科技股份有限公司

申请日：2023-08-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627752U

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01J37/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本申请为一种双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其用以对一基板进行电浆蚀刻处理，连续式制程机构包括一高速蚀刻真空腔体及一低速蚀刻真空腔体。高速蚀刻真空腔体包括一第一射频电浆模组，第一射频电浆模组用以对基板进行高速电浆蚀刻；低速蚀刻真空腔体设置有相互连通的一第一缓冲区、一线性电浆区以及一第二缓冲区，线性电浆区内设有一第一线性电浆模组，基板可于第一缓冲区、线性电浆区及第二缓冲区来回移动，以通过第一线性电浆模组对基板进行低速电浆蚀刻。借此，本申请可达到兼顾连续式制程机构的蚀刻效率与基板表面细致度的目的。

主权项：1.一种双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其用以对至少一基板进行电浆蚀刻处理，其特征在于，该连续式制程机构包括：一高速蚀刻真空腔体，其包括对至少一基板进行高速电浆蚀刻的一第一射频电浆模组；以及一与该高速蚀刻真空腔体连接的低速蚀刻真空腔体，其包括依序设置并相互连通的一第一缓冲区、一线性电浆区以及一第二缓冲区，该第一缓冲区相邻于该高速蚀刻真空腔体，该线性电浆区内设有一用以对至少一基板进行低速电浆蚀刻的第一线性电浆模组，至少一基板可于该第一缓冲区、该线性电浆区及该第二缓冲区三者间单向或来回移动，以对至少一基板进行低速电浆蚀刻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 友威科技股份有限公司 双效电浆蚀刻的连续式制程机构

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