申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117740436A

主分类号：G01N1/06

分类号：G01N1/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种半导体单晶晶棒检测样片的取样方法，涉及检测样片取样技术领域，首先将多个晶锭的端面进行面与面粘接、校正，得到晶棒，再将晶棒进行校正，得到校正晶棒，然后将校正晶棒粘接在树脂板上、固化，得到待切割晶棒，最后将待切割晶棒通过砂浆切片机进行切片，得到厚度小于1mm的样片；通过对晶棒进行校正，使得组成晶棒内的数个晶锭竖直向下，且晶棒的外圆修正、对齐，使得切出的样片无裂片、崩边，且样片厚度差（TTV）小于10mm。

主权项：1.一种半导体单晶晶棒检测样片的取样方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将多个晶锭的端面进行面与面粘接，得到晶棒；S2：将晶棒进行校正，得到校正晶棒；S3：将校正晶棒垂直粘接在树脂板上、固化，得到待切割晶棒；S4：将待切割晶棒通过砂浆切片机进行切片，得到厚度小于1mm的样片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 半导体单晶晶棒检测样片的取样方法

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