申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748293A

主分类号：H01S5/22

分类号：H01S5/22;H01S5/343

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种双脊型波导半导体激光器及其制作方法，其中，第一掩膜层形成于n型电极上，第一掩膜层内形成有第一条形窗口；n型脊型波导形成于第一条形窗口内；外延结构形成于n型脊型波导表面；第二掩膜层形成于外延结构表面，第二掩膜层内形成有第二条形窗口；p型脊型波导形成于第二条形窗口内；电流扩展层形成于p型脊型波导表面；p型电极形成于电流扩展层表面。本发明的双脊型波导半导体激光器及其制作方法，得到一种两端均为脊型波导的半导体激光器，能够进一步增强横向光场限制和电流限制，且易于制备复杂形状的脊型波导，大大简化了工艺流程，降低了成本。

主权项：1.一种双脊型波导半导体激光器，其特征在于，包括：n型电极，具有第一表面；第一掩膜层，形成于所述第一表面上，所述第一掩膜层内形成有第一条形窗口，所述第一条形窗口暴露出部分所述第一表面；n型脊型波导，形成于所述第一条形窗口内，所述n型脊型波导包括形成于所述第一表面上的n型覆盖层以及形成于所述n型覆盖层背离所述n型电极一侧表面的n型限制层；外延结构，形成于所述n型限制层背离所述n型电极的一侧表面；第二掩膜层，形成于所述外延结构背离所述n型电极的一侧表面，所述第二掩膜层内形成有第二条形窗口，所述第二条形窗口暴露出部分所述外延结构表面；p型脊型波导，形成于所述第二条形窗口内，所述p型脊型波导包括形成于所述外延结构表面上的p型限制层以及形成于所述p型限制层背离所述n型电极一侧表面的p型覆盖层；电流扩展层，形成于所述p型脊型波导背离所述n型电极的一侧表面；以及p型电极，形成于所述电流扩展层背离所述n型电极的一侧表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 双脊型波导半导体激光器及其制作方法

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