申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-02-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747419A

主分类号：H01L21/263

分类号：H01L21/263;H01L21/67

优先权：["20190301 JP 2019-037982","20200121 JP 2020-007203"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。

主权项：1.一种基板处理方法，包括以下工序：第一蚀刻工序，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板；变更工序，将蚀刻速率从所述第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率；以及第二蚀刻工序，以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板，其中，在所述第一蚀刻工序开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，在所述第一蚀刻工序中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻工序中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过向所述基板供给含有多个成分的药液来蚀刻所述基板，所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，所述基板处理方法还具有更换工序，在更换工序中，进行控制以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD