申请/专利权人：上海匕令科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117741834A

主分类号：G02B1/00

分类号：G02B1/00;G02B1/02;G02B1/14;G02B1/11

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种单晶硅超表面、加工方法及加工设备，单晶硅超表面包括：超表面结构层、粘附层和基底；粘附层连接超表面结构层和基底；其中，超表面结构层包括亚波长结构的单晶硅，超表面结构层用于减小单晶硅超表面对可见光和近红外光的吸收；基底用于为单晶硅超表面提供底层支撑。本申请提供的一种单晶硅超表面，通过直接刻蚀硅晶圆获得亚波长结构的单晶硅，在实际生产过程中，由于硅晶圆的成本比较低，最终获取单晶硅超表面的成本较低，有利于实现单晶硅超表面的批量生产。

主权项：1.一种单晶硅超表面，其特征在于，所述单晶硅超表面包括：超表面结构层、粘附层和基底；所述粘附层连接所述超表面结构层和所述基底；其中，所述超表面结构层包括亚波长结构的单晶硅，所述超表面结构层用于减小所述单晶硅超表面对可见光和近红外光的吸收；所述基底用于为所述单晶硅超表面提供底层支撑。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海匕令科技有限公司 单晶硅超表面、加工方法及加工设备

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