申请/专利权人：华宇华源电子科技(深圳)有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747453A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装结构，芯片封装方法包括：S1、制备第一芯片模组和第二芯片模组；S2、在第一芯片模组上设置绝缘连接层，绝缘连接层将第一芯片和金属层包裹其中；S3、将第二芯片模组下压贴合在第一芯片模组上，第二芯片与第一芯片相错开并嵌入绝缘连接层中；S4、将第一载板和第二载板移除；S5、分别在绝缘连接层的相对两表面设置第一线路层和第二线路层，第一线路层导电连接第一芯片和金属层，第二线路层导电连接所述第二芯片。本发明将芯片以上下倒转方式设置在绝缘连接层中，通过在绝缘连接层两侧分别设置线路层与芯片导电连接，实现两侧布线，减少布线层数量及提高效率，同时能够实现多侧散热，提高散热效果。

主权项：1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、分别制备第一芯片模组和第二芯片模组；所述第一芯片模组包括第一载板、设置在所述第一载板上的第一芯片和金属层；所述第二芯片模组包括第二载板、设置在所述第二载板上的第二芯片；S2、在所述第一芯片模组上设置绝缘连接层，所述绝缘连接层将所述第一芯片和金属层包裹其中；S3、将所述第二芯片模组下压贴合在所述第一芯片模组上方，所述第二芯片与所述第一芯片相错开并嵌入所述绝缘连接层中；S4、将所述第一载板和第二载板移除；S5、分别在所述绝缘连接层相对的第一表面和第二表面上设置第一线路层和第二线路层，所述第一线路层导电连接所述第一芯片和或金属层，所述第二线路层导电连接所述第二芯片和或金属层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华宇华源电子科技(深圳)有限公司 芯片封装方法及芯片封装结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD