申请/专利权人：胜高股份有限公司

申请日：2017-09-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747417A

主分类号：H01L21/20

分类号：H01L21/20;H01L21/205;H01L21/02

优先权：["20161007 JP 2016-198825"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法。所述外延硅晶片的制造方法具备：外延膜形成工序，在三氯硅烷气体环境下，在硅晶片的表面形成由硅构成的外延膜；以及氮浓度设定工序，在氮气环境下，对在外延膜形成工序中形成了外延膜的硅晶片进行热处理而在外延膜上形成氮化膜，并利用该氮化膜的向内扩散来设定外延膜表面的氮浓度。

主权项：1.一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，具备：外延膜形成工序，在三氯硅烷气体环境下，在硅晶片的表面形成由硅构成的外延膜；氮浓度设定工序，在氮气环境下，对在所述外延膜形成工序中形成了外延膜的硅晶片进行热处理而在所述外延膜上形成氮化膜，并利用该氮化膜的向内扩散来设定所述外延膜表面的氮浓度，使所述外延膜的氮浓度越靠近该外延膜的表面侧变得越高；以及氮化膜去除工序，去除所述氮化膜整体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 胜高股份有限公司 外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法

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