申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750763A

主分类号：H10B41/30

分类号：H10B41/30;H01L29/423;H01L21/28;H01L23/544

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种闪存存储器及其制作方法，包括：衬底，衬底包括测试区，测试区形成有测试结构；测试结构包括自下而上的有源区、测试浮栅层、介质层和测试控制栅层。形成闪存存储器的版图层包括第一浮栅版图层和第二浮栅版图层；第二浮栅版图层包括开口图形，利用开口图形形成开口；开口图形在衬底上的投影落入有源区内。浮栅接触柱位于开口中的绝缘层中且与测试浮栅层电连接；控制栅接触柱与测试控制栅层电连接。本发明第二浮栅版图层中的开口图形与有源区重叠设置，开口图形区域对应的测试控制栅层和介质层去除并暴露出测试浮栅层；通过浮栅接触柱将测试浮栅层引出。利用该测试结构实现在WAT测试中检测浮栅和控制栅之间的介质层电学参数。

主权项：1.一种闪存存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有有源区；所述衬底包括测试区，所述测试区形成有测试结构；所述测试结构包括自下而上的有源区、测试浮栅层、介质层和测试控制栅层；所述测试结构还包括开口、绝缘层、浮栅接触柱和控制栅接触柱；形成所述闪存存储器的版图层包括第一浮栅版图层和第二浮栅版图层；所述第二浮栅版图层包括开口图形，利用所述开口图形形成所述开口，所述开口图形区域对应的所述测试控制栅层和所述介质层去除并暴露出所述测试浮栅层；所述开口图形在所述衬底上的投影落入所述有源区内；所述浮栅接触柱位于所述开口中的所述绝缘层中且与所述测试浮栅层电连接；所述控制栅接触柱形成于所述绝缘层中且与所述测试控制栅层电连接。

全文数据：

权利要求：

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