申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-06-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751433A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/768;H01L21/3205

优先权：["20210727 JP 2021-122118","20220207 JP 2022-016830"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：蚀刻方法包括以下工序：提供具备包含含硅层的蚀刻对象层和包含金属的掩模的基板，所述掩模设置在蚀刻对象层上，具有由侧壁规定的开口；供给包含含金属气体的处理气体；以及从处理气体生成等离子体，在掩模的上部和侧壁形成含有金属的保护层并且经由开口对蚀刻对象层进行蚀刻。

主权项：1.一种蚀刻方法，包括以下工序：提供具备包含含硅层的蚀刻对象层和包含金属的掩模的基板，所述掩模设置在所述蚀刻对象层上，具有由侧壁规定的开口；供给包含含金属气体的处理气体；以及从所述处理气体生成等离子体，在所述掩模的上部和所述侧壁形成含有金属的保护层并且经由所述开口对所述蚀刻对象层进行蚀刻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法、半导体装置的制造方法、蚀刻程序以及等离子体处理装置

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