申请/专利权人：华灿光电(浙江)有限公司

申请日：2023-11-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747729A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/42;H01L33/06;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本公开提供了一种改善发光效果的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和第一电极，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的第一凹槽，所述第一电极包括条形部，所述条形部位于所述第一凹槽的槽壁和槽底，且与所述第一半导体层电连接，所述条形部的至少部分的宽度大于所述第一凹槽的宽度，以使所述条形部的至少部分位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面上，所述第二半导体层与所述条形部绝缘。本公开实施例能提升发光二极管的发光面积，改善发光二极管的光效。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层20和第一电极31，所述外延层20包括依次层叠的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23；所述第二半导体层23具有露出所述第一半导体层21的第一凹槽41，所述第一电极31包括条形部312，所述条形部312位于所述第一凹槽的槽壁和槽底，且与所述第一半导体层21电连接，所述条形部312的至少部分的宽度大于所述第一凹槽41的宽度，以使所述条形部312的至少部分位于所述第二半导体层23远离所述第一半导体层21的表面上，所述第二半导体层23与所述条形部312绝缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华灿光电(浙江)有限公司 改善发光效果的发光二极管及其制备方法

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