申请/专利权人：施明成;重庆芯思迈半导体有限公司

申请日：2022-09-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750232A

主分类号：H04N25/76

分类号：H04N25/76;H04N25/78;H04N25/67;H04N25/77

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种低照度CMOS图像传感器及其方法，是基于电容反馈跨阻放大器型像元电路与数字双Δ采样DDS架构的低照度CMOS图像传感器系统。采用电容反馈跨阻放大型像元电路提供稳定的光电二极管偏置电压以及高注入效率，完成在低照度情况下对微弱信号的读取，同时采用数字双Δ采样DDS结构，通过在片外实现像元积分信号与复位信号的量化结果在数字域的减法，达到抑制CMOS图像传感器中固定图案噪声的目的，进一步提高低照度图像传感器的成像质量。

主权项：1.一种低照度CMOS图像传感器及其方法，包括：CMOS图像传感器芯片和数字双Δ采样DDS结构的片外系统构成，其特征在于，所述CMOS图像传感器芯片接收片外系统的控制信号，控制像元电路在卷帘快门RollingShutter工作模式下进行积分、复位和读出等操作；像元积分信号与复位信号通过列级ADC电路量化后，再转化成数字信号；然后经过数字多路选择器和数据传输单元传输到片外系统，片外系统接收到CMOS图像传感器芯片一行像元的积分信号后存储在DDS模块里存储单元中，然后接收同一行像元下一帧的复位信号，并于存储单元里的积分信号进行减法运算；直到最后一行像元的积分信号与复位信号的减法操作完成后，将整帧数字结构送到显示器显示。

全文数据：

权利要求：

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