申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117739838A

主分类号：G01B11/08

分类号：G01B11/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置，所述方法包括：控制第一校准光源和第二校准光源发光，基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标；基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值，减小了直拉单晶硅直径测量误差，提高了晶体生长过程中的晶体直径控制准确度，从而提高了直拉单晶硅生产效率。

主权项：1.一种直拉单晶硅直径测量方法，其特征在于，所述方法包括：控制第一校准光源和第二校准光源发光，所述第一校准光源和所述第二校准光源间隔第一距离，所述第一距离与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，所述第一校准光源与所述第二校准光源之间连线的中点位于晶棒长晶时与所述晶棒轴向垂直的截面的圆心处；基于第一测量设备获取所述第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取所述第二校准光源的第二坐标，所述第一测量设备和所述第二测量设备间隔距离等于预设晶棒直径；基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一距离获取直径测量系数；在所述晶棒长晶时使用所述第一测量设备获取所述晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用所述第二测量设备获取所述晶棒直径的另一端的第二直径坐标；基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径测量系数获取所述晶棒的直径测量值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置

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