申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737848A

主分类号：C30B28/14

分类号：C30B28/14;H01L23/373;C30B29/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及GaN功率器件制备技术领域，具体公开一种高取向界面无缝金刚石GaN复合衬底的制备方法。本发明首先采用阳离子聚合物对衬底进行处理，使带正电荷的聚合物均匀致密地吸附在衬底上；再将带正电的衬底置于带负电的纳米金刚石悬浮液中，由于静电吸附作用，使衬底表面均匀地吸附等量带负电的纳米金刚石晶种，有利于在MPCVD金刚石生长初期位于金刚石GaN衬底界面处的金刚石晶粒之间快速连接成薄膜，形成界面致密的金刚石成核层；在MPCVD方法生长金刚石成核层的过程中，对衬底施加负偏压，使得生长的多晶金刚石颗粒之间具有高的取向度，避免了由于多晶金刚石晶粒取向杂乱而导致金刚石热导率低，影响器件散热问题的出现。

主权项：1.一种高取向界面无缝金刚石GaN复合衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，对GaN外延片的衬底进行减薄处理；S2，将减薄后的衬底放入阳离子聚合物的水溶液中，浸渍第一预设时间，洗涤，放入带负电的纳米金刚石悬浮液中，浸渍第二预设时间，洗涤，干燥，得预处理衬底；S3，在负偏压的条件下，在所述预处理衬底上利用MPCVD法进行多晶金刚石形核层的生长；S4，关闭负偏压，利用MPCVD法在形核层上继续进行多晶金刚石薄膜的生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种高取向界面无缝金刚石/GaN复合衬底的制备方法

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