申请/专利权人:广东先导微电子科技有限公司
申请日:2023-12-28
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117747508A
主分类号:H01L21/67
分类号:H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要:本发明属于磷化铟晶片腐蚀技术领域,公开了一种磷化铟晶片的腐蚀装置。包括运转组件和腐蚀台,腐蚀台上设置定位组件、溢流槽、腐蚀槽、喷淋区和下片区;运转组件包括机械手,机械手设置夹具,磷化铟晶片置于卡塞内,卡塞置于定位组件中进行定位,夹具用于装夹位于定位组件中的卡塞,机械手用于运转装夹有卡塞的夹具依次通过腐蚀台上的溢流槽、腐蚀槽、喷淋区和下片区。本发明结构简单,操作简便,运行时可采用自动腐蚀方式,能更好地稳定产品质量,消除人为因素对产品质量的不确定性,降低腐蚀环境对操作人员的危害,设备使用寿命长,能更好地节约人工成本和人为导致的晶片报废成本,推动产线自动化发展,提高总体生产效益。
主权项:1.一种磷化铟晶片的腐蚀装置,其特征在于,包括运转组件和腐蚀台,所述腐蚀台上设置定位组件、溢流槽、腐蚀槽、喷淋区和下片区;其中:所述运转组件包括机械手,所述机械手设置夹具,所述磷化铟晶片置于卡塞内,卡塞置于定位组件中进行定位,所述夹具用于装夹定位组件中的卡塞,所述机械手用于运转装夹有卡塞的夹具依次通过腐蚀台上的溢流槽、腐蚀槽、喷淋区和下片区。
全文数据:
权利要求:
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