申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894673A

主分类号：H01L21/268

分类号：H01L21/268;H01L21/304;H01L21/18;B23K26/53;B24B7/22;B24B41/06

优先权：["20221014 JP 2022-165606"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且将外周剩余区域去除。晶片的加工方法包含如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有器件区域和外周剩余区域且外周缘进行了倒角的第一晶片的一个面与第二晶片贴合，形成贴合晶片；改质层形成步骤，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域的边界而从另一个面进行照射，沿着边界而形成环状的改质层；磨削步骤，在实施了改质层形成步骤之后，将第一晶片从另一个面进行磨削而薄化至完工厚度；以及外力赋予步骤，对于比形成有改质层的区域靠外周缘侧的外周剩余区域赋予外力，由此促进外周剩余区域的脱离。

主权项：1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有形成有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域且外周缘进行了倒角的第一晶片的该一个面与第二晶片的一个面贴合，形成贴合晶片；改质层形成步骤，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第一晶片的该器件区域与该外周剩余区域的边界而从该一个面的相反侧的另一个面照射该激光束，沿着该边界而形成环状的改质层；磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从该另一个面进行磨削而薄化至完工厚度；以及外力赋予步骤，在实施该磨削步骤的期间或实施了该磨削步骤之后，对于比通过该改质层形成步骤而形成有该改质层的区域靠外周缘侧的该外周剩余区域赋予外力，由此促进该外周剩余区域的脱离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的加工方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD