申请/专利权人：厦门通富微电子有限公司

申请日：2023-11-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747426A

主分类号：H01L21/3213

分类号：H01L21/3213;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，该方法包括：测量晶圆上金属层的第一金属层电阻；在预设时间间隔内蚀刻金属层，测量蚀刻后金属层的第二金属层电阻；基于第一金属层电阻、第二金属层电阻以及预设时间间隔，得到金属层的蚀刻速率。本申请提供的晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，能够提高测量效率，降低生产成本。

主权项：1.一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，其特征在于，包括：测量晶圆上金属层的第一金属层电阻；在预设时间间隔内蚀刻所述金属层，测量蚀刻后所述金属层的第二金属层电阻；基于所述第一金属层电阻、所述第二金属层电阻以及所述预设时间间隔，得到所述金属层的蚀刻速率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门通富微电子有限公司 一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法

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