申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117740882A

主分类号：G01N27/00

分类号：G01N27/00;G01N27/26;G01N1/30;G01N1/28;G01N1/32;G01N17/00;G01N17/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法。针对重掺杂n型碳化硅晶片在熔融的强碱中加入适量的氧化剂形成腐蚀剂，利用恒定电压源给碳化硅晶片施加正的偏置电压。一方面，通过在强碱中加入氧化剂，提高腐蚀剂中的氧含量，进而促进氧化过程，即促进重掺杂n型碳化硅晶片各向异性的化学腐蚀过程；另一方面，在对所述重掺杂n型碳化硅晶片施加正电压，抑制所述重掺杂n型碳化硅晶片表面各向同性的电化学腐蚀过程。氧化剂和偏置电压的结合对位错特征显示效果显著，可以清晰区分所述重掺杂n型碳化硅晶片的不同位错类型。

主权项：1.一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，包括：提供重掺杂n型碳化硅晶片、坩埚，所述坩埚内具有强碱固体；对所述坩埚加热，使得所述强碱固体熔化至熔融状态；将氧化剂溶于熔融状态的强碱后，形成腐蚀剂；腐蚀所述重掺杂n型碳化硅晶片，其中，将所述重掺杂n型碳化硅晶片的一部分浸入所述腐蚀剂，另一部分暴露于所述腐蚀剂表面，对暴露于所述腐蚀剂表面的所述重掺杂n型碳化硅晶片施加恒定的电压，使得所述重掺杂n型碳化硅晶片浸入所述腐蚀剂的部分被腐蚀；将腐蚀后的所述重掺杂n型碳化硅晶片进行检测，获得腐蚀后的所述重掺杂n型碳化硅晶片的形貌。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法

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