申请/专利权人：上海季丰电子股份有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747425A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L21/3213;G01N1/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种砷化镓芯片去层方法。涉及半导体测试技术领域。包括：确定待去层样品；采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层；采用金腐蚀液腐蚀所述金属层，去除所述金属层露出所述介质层；采用等离子蚀刻技术对所述介质层进行刻蚀，去除所述介质层，得到去层后的样品。可以实现采用物理和化学融合的方法对砷化镓芯片进行去层，对砷化镓芯片的去层更合理，对砷化镓层的破坏更小。

主权项：1.一种砷化镓芯片去层方法，其特征在于，包括：确定待去层样品，所述待去层样品包括多个非平坦化工艺制备的多层结构，所述多层结构包括砷化镓层、介质层、金属层以及钝化层；所述钝化层位于所述待去层样品的表面，所述金属层位于所述钝化层下方，所述介质层位于所述金属层下，所述砷化镓层位于所述介质层下方；采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层；采用金腐蚀液腐蚀所述金属层，去除所述金属层露出所述介质层；采用等离子蚀刻技术对所述介质层进行刻蚀，去除所述介质层，得到去层后的样品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海季丰电子股份有限公司 砷化镓芯片去层方法

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