申请/专利权人：宁波江丰同芯半导体材料有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117734289A

主分类号：B32B37/10

分类号：B32B37/10;H01L21/48;H01L23/14;B32B37/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，该改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法包括S10：将翘曲值不合格的覆铜陶瓷基板的上下表面均贴柔性垫片；S20：通过两个压板对贴附有柔性垫片的覆铜陶瓷基板的上下表面压紧；S30：使覆铜陶瓷基板所在的环境成为贫氧环境；S40：调高覆铜陶瓷基板所在环境的温度；S50：将覆铜陶瓷基板所在的环境温度降至室温；S60：覆铜陶瓷基板温度不变后，解除覆铜陶瓷基板所在的贫氧环境。该工艺通过调高覆铜陶瓷基板的自身温度，使铜层具有重塑性，与此同时，施加预设压力，进而改善覆铜陶瓷基板的翘曲值，使其符合覆铜陶瓷基板对翘曲值的要求。

主权项：1.一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，包括：S10：将翘曲值不合格的覆铜陶瓷基板的上下表面均贴柔性垫片；S20：通过两个压板对贴附有所述柔性垫片的所述覆铜陶瓷基板的上下表面压紧；S30：使所述覆铜陶瓷基板所在的环境成为贫氧环境；S40：调高所述覆铜陶瓷基板所在环境的温度；S50：将所述覆铜陶瓷基板所在的环境温度降至室温；S60：所述覆铜陶瓷基板温度不变后，解除所述覆铜陶瓷基板所在的贫氧环境。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波江丰同芯半导体材料有限公司 一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法

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