申请/专利权人：华能(嘉峪关)新能源有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747007A

主分类号：G16C20/20

分类号：G16C20/20;G16C20/70;G06F17/11;G01N21/84

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种计算SiNx原子浓度的方法，通过光学测试获得其在带间跃迁段的光学常数，并通过特定的物理规律进一步分析计算这些光学常数，从而获得SiNx薄膜的原子浓度及配位数。该计算SiNx原子浓度的方法可以表征不同条件制备的多层SiNx薄膜的原子浓度及配位数，从而获得适合器件需要的SiNx薄膜。对于进一步利用SiNx薄膜制备各种器件，包括在硅基太阳电池上应用，具有突出的意义。

主权项：1.一种计算SiNx原子浓度的方法，其特征在于，所述计算SiNx原子浓度的方法包括：制备样品，所述样品包括衬底和位于所述衬底一侧的SiNx薄膜；获得所述SiNx薄膜在带间跃迁段的光学常数；基于所述带间跃迁段的光学常数，结合Tauc-Lorentz模型，得到具有光学带隙、洛伦兹振子振幅、洛伦兹共振能和洛伦兹展宽参数的Tauc-Lorentz方程；基于所述Tauc-Lorentz方程，计算得到带间跃迁段及价带电子跃迁段的光学常数；基于所述带间跃迁段及价带电子跃迁段的光学常数，结合色散能模型和f求和规则，计算所述SiNx薄膜中的原子浓度。

全文数据：

权利要求：

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