申请/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所

申请日：2024-01-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742086A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;G02B27/42

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种基于光栅二阶衍射与双曲型多层石墨烯的等离子体干涉光刻结构，利用光栅二阶衍射波激发的表面等离子体激元产生干涉，在光刻胶层形成半节距分辨率为18光栅周期的干涉图案。通过光栅沟槽两侧壁构成Fabry‑Perot腔，增强光栅对衍射波的透射率，提高SPP的强度。在结构中引入的空气层能够有效提高光栅的重复利用率。通过利用双曲型多层石墨烯HMG的双曲色散特性及HMG‑光刻胶层‑HMG构成波导中对称模式对光刻胶层厚度不敏感的特性，能够在光刻胶层中获得均匀、高对比度的干涉图案。相比于传统等离子体干涉光刻结构，本发明能够在使用更大周期光栅的条件下获取相同半节距分辨率的干涉图案。

主权项：1.一种等离子体干涉光刻结构，其特征在于：所述光刻结构从上至下依次由光栅层1、空气层2、光刻层3及衬底4构成；所述的光栅层1从上至下一次由基底11、金属光栅12、沟槽13及底部介质层14构成；所述沟槽13的宽度为所述金属光栅12周期的12；所述沟槽13和底部介质层14的材料相同；所述光刻层3从上至下包括透射层31、光刻胶层32和反射层33；所述透射层31与反射层33的材料为双曲型多层石墨烯构成；以TM偏振光垂直入射所述光刻结构，可在光刻胶层32形成半节距分辨率为18光栅周期的干涉图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种等离子体干涉光刻结构

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