申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748298A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种应变平衡高势垒的中波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的有源层，有源层包括多个级联周期，每个级联周期包括注入区和有源区；所述注入区在应变InAlAs势垒层嵌套插入AlAs高势垒层。本发明通过插入AlAs高势垒层调整注入势垒和出口势垒增强基态能级和有源区上能级E3的耦合强度以及提供足够大的微带能量宽度，从而使得有源区中低于下激射能级E2的更低能级的电子可以被有效传输到注入区的微带。将输出峰值增益提高到97以上，有效增大功率输出，而且优化过的材料组分种类更少，相比于目前报道的最大单管功率器件降低了外延生长的难度。

主权项：1.一种应变平衡高势垒的中波红外大功率量子级联激光器的有源层，其特征在于，所述量子级联激光器包括InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的有源层，有源层包括多个级联周期，每个级联周期包括注入区和有源区；所述注入区在应变InAlAs势垒层嵌套插入AlAs高势垒层；其中，所述注入区包括，依次制备注入区第一GaInAs层、注入区第一AIInAs层、注入区第一AlAs层、注入区第二AIInAs层；注入区第二GaInAs层、注入区第三AIInAs层、注入区第二AlAs层、注入区第四AIInAs层；注入区第三GaInAs层、注入区第五AIInAs层、注入区第三AlAs层、注入区第六AIInAs层；注入区第四GaInAs层、注入区第七AIInAs层、注入区第四AlAs层、注入区第八AIInAs层；注入区第五GaInAs层、注入区第九AIInAs层、注入区第五AlAs层、注入区第十AIInAs层；注入区第六GaInAs层、注入区第十一AIInAs层、注入区第六AlAs层、注入区第十二AIInAs层；注入区第七GaInAs层、注入区第十三AIInAs层、注入区第七AlAs层、注入区第十四AIInAs层，以及注入区第八GaInAs层；所述有源区包括，依次制备的有源区第一AIInAs层、有源区第一GaInAs层、有源区第二AIInAs层、有源区第二GaInAs层、有源区第三AIInAs层和有源区第三GaInAs层。

全文数据：

权利要求：

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