申请/专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司

申请日：2024-02-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747670A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种SiC功率器件及其形成方法，包括SiC基底；位于SiC衬底内的沟槽型MOSFET；还包括设置在沟槽型MOSFET下方的SiC衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型MOSFET控制栅底部；屏蔽栅，位于底部氧化层下方，且被底部氧化层覆盖；屏蔽掺杂区，位于屏蔽栅下方。本发明在栅氧底部垂直设置厚氧，屏蔽栅和屏蔽掺杂区，相对常规沟槽SiCMOS采取的P型半包围或者沟槽两侧P柱保护栅氧的做法，更能提高芯片有效使用面积，避免占用水平方面空间，提高对栅氧的有效保护，从而提高该器件的栅氧耐压水平和可靠性。

主权项：1.一种SiC功率器件，其特征在于，包括SiC基底；位于SiC衬底内的沟槽型MOSFET；还包括设置在沟槽型MOSFET下方的SiC衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型MOSFET控制栅底部；屏蔽栅，位于底部氧化层下方，且被底部氧化层覆盖；屏蔽掺杂区，位于屏蔽栅下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳腾睿微电子科技有限公司 SiC功率器件及其形成方法

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