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【发明授权】WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器_中国石油化工股份有限公司;中石化安全工程研究院有限公司_202010281578.4 

申请/专利权人:中国石油化工股份有限公司;中石化安全工程研究院有限公司

申请日:2020-04-10

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN113511684B

主分类号:C01G41/02

分类号:C01G41/02;B82Y40/00;G01N27/12

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2024.03.15#专利申请权的转移;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开

摘要:本发明涉及气敏材料领域,公开了一种WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器。本发明的WO3纳米片的制备方法包括:1在碳原子数为6‑10的有机烷烃溶剂存在下,使碳原子数为7‑10的有机胺和钨酸进行第一接触反应,得到第一接触反应后的产物;2使步骤1得到的第一接触反应后的产物与无机酸进行第二接触反应,得到H2WO4纳米片;3将所述H2WO4纳米片进行煅烧,得到WO3纳米片。该方法制备得到的WO3纳米片用作气敏材料时,其抗湿性能十分优异,并且该方法简单,能够实现宏量制备WO3纳米片。

主权项:1.一种气敏传感器,其特征在于,该气敏传感器包括芯片载体以及负载在所述芯片载体上的纳米材料,所述纳米材料的制备方法包括以下步骤,1)在碳原子数为6-10的有机烷烃溶剂存在下,使碳原子数为7-10的有机胺和钨酸进行第一接触反应,得到第一接触反应后的产物;2)使步骤1)得到的第一接触反应后的产物与无机酸进行第二接触反应,得到H2WO4纳米片;3)将所述H2WO4纳米片进行煅烧,得到WO3纳米片,所述WO3纳米片厚度为1-30nm,所述WO3纳米片两点之间最长直线距离为50-200nm,所述碳原子数为6-10的有机烷烃溶剂为辛烷和或壬烷,所述碳原子数为7-10的有机胺为正壬胺和或正癸胺,所述芯片载体为陶瓷管和或MEMS芯片,以湿度20%时对被测气体的响应值为A,以湿度95%时对被测气体的响应值为B时,响应值从A到B的变化率为6%以下,钨酸、所述有机溶剂与所述有机胺的重量比为1:20-100:1-20。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国石油化工股份有限公司;中石化安全工程研究院有限公司 WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器

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