申请/专利权人：先之科半导体科技(东莞)有限公司

申请日：2023-06-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116705724B

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.09.22#实质审查的生效;2023.09.05#公开

摘要：本发明公开了一种便于维护且使用寿命长的MOS晶体管，包括外壳，外壳侧面以及底端的内部设置有多组安装孔，外壳的内侧设置有接触装置，接触装置和外壳之间的四面以及底部分别设置有散热组件，散热组件的一侧设置有导热杆，导热杆的一端设置有散热片，且导热杆安装在安装孔内部。本发明通过在接触装置的表面设置散热组件，并在散热组件的一侧设置导热杆，在导热杆的一端设置散热片，使得散热组件将接触装置表面的热量通导热杆输送到散热片，并通过散热片将热量导出，加速MOS晶体管的散热效率，避免MOS晶体管因温度过高导致MOS晶体管老化，进而增加MOS晶体管的使用寿命。

主权项：1.一种便于维护且使用寿命长的MOS晶体管，包括外壳1，其特征在于：所述外壳1侧面以及底端的内部设置有多组安装孔101，所述外壳1的内侧设置有接触装置2，所述接触装置2和外壳1之间的侧面以及底部分别设置有散热组件3，所述散热组件3的一侧设置有导热杆4，所述导热杆4的一端设置有散热片5，且所述导热杆4安装在安装孔101内部，所述接触装置2内部的底端设置有第一漏极金属层6，所述第一漏极金属层6采用铝材制作，所述第一漏极金属层6的上端面设置有硅片7，所述硅片7的上端面设置有外延区8，所述外延区8的顶端设置有绝缘层9，所述绝缘层9的上端面设置有源区10。

全文数据：

权利要求：

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