申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117330951B

主分类号：G01R31/327

分类号：G01R31/327

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明公开一种MOS开关器件的SOA测试系统及测试方法，该系统中运放单元包括电源端、输入端以及输出端，测试电路单元包括第一接口、第二接口、第三接口以及待测MOS开关器件；多路可编辑电源模块的第三路电源与输入端连接，输出端与第三接口连接；电压电流转换模块用于将第一测试电压转换为施加在待测MOS开关器件上的测试电流；第一路电源与第一接口电连接，用于为第一接口提供第二测试电压；数字信号处理模块用于在测试点电压为目标电压时，调整第一测试电压与第二测试电压的值，使测试电流逐渐增大，并获取令待测MOS开关器件不损坏的测试电流的最大值。本发明设计了专用于对MOS开关器件SOA性能进行测试的系统，能够得到更加精确的SOA测试结果。

主权项：1.一种MOS开关器件的SOA测试系统，其特征在于，包括数字信号处理模块、多路可编辑电源模块以及电压电流转换模块；所述电压电流转换模块包括运放单元以及测试电路单元；所述运放单元包括电源端、输入端以及输出端，所述测试电路单元包括第一接口、第二接口、第三接口以及待测MOS开关器件，所述第一接口、所述第二接口以及所述第三接口分别与所述待测MOS开关器件的漏极、源极以及栅极连接；所述多路可编辑电源模块包括第一路电源、第二路电源以及第三路电源；所述第二路电源与所述电源端连接；所述第三路电源与所述输入端连接，所述输出端与所述第三接口连接，所述第三路电源用于为所述输入端提供第一测试电压；所述电压电流转换模块用于将所述第一测试电压转换为施加在所述待测MOS开关器件上的测试电流；所述第一路电源与所述第一接口电连接，用于为所述第一接口提供第二测试电压；所述数字信号处理模块与所述多路可编辑电源模块和所述电压电流转换模块电连接，用于在测试点电压为目标电压时，调整所述第一测试电压与所述第二测试电压的值，使第一测试电压与第二测试电压的差值始终等于目标电压，同时，测试电流会随着第一测试电压的变化而发生改变，在调整第一测试电压与第二测试电压令其差值不变的同时使所述测试电流逐渐增大，并获取令所述待测MOS开关器件不损坏的所述测试电流的最大值；所述测试点电压为所述第一测试电压与所述第二测试电压的差值；所述MOS开关器件的SOA测试系统的测试方法还包括：获取待测MOS开关器件的标称电压，并在1V到所述标称电压之间，以预设电压为采样间隔，确定所述待测MOS开关器件的多个测试点电压；所述测试点电压的数量与所述待测MOS开关器件的测试次数相同；在每一次测试中，在所述数字信号处理模块中令所述目标电压为该次测试对应的测试点电压，调整所述第一测试电压与所述第二测试电压的值，使所述测试电流逐渐增大，并获取令所述待测MOS开关器件不损坏的所述测试电流的最大值；根据所述待测MOS开关器件的所有测试的测试点电压，以及所述测试点电压对应的测试电流的最大值绘制所述待测MOS开关器件的SOA特性曲线；所述运放单元具体包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和电容；所述运算放大器包括电源正极、电源负极、输入正极、输入负极以及电流输出端；所述电源正极与所述第二路电源的正极连接，所述电源负极与所述第二路电源的负极连接；所述输入正极与所述第一电阻和所述第二电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第三路电源的正极连接，所述第二电阻的一端与所述第三路电源的负极连接；所述输入负极与所述电容和所述第四电阻的一端连接，所述电容的另一端与所述第二电阻的一端和所述第三路电源的负极连接，所述第四电阻的另一端与所述第二接口连接；所述电流输出端与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三接口连接；所述第五电阻的一端与所述第二接口连接，所述第五电阻的另一端与所述电源负极连接；所述SOA测试系统还包括液冷恒温模块，所述液冷恒温模块罩设在所述测试电路单元的外部，用于为所述待测MOS开关器件提供恒温测试环境；所述数字信号处理模块包括数据采集单元、第一计算单元、第二计算单元、电压调整单元以及结果获取单元；所述数据采集单元用于获取目标电压、所述第一电阻、所述第二电阻以及所述第五电阻的值；所述目标电压大于或等于1V且小于或等于所述待测MOS开关器件的标称电压；所述第一计算单元内设置有第一计算公式，所述第一计算公式用于计算第一测试电压；所述第一计算公式包括第一测试电压参数、测试点电压参数、测试电流参数以及第五电阻参数，所述测试电流参数对应的测试电流从1V开始逐渐增大；所述第二计算单元内设置有第二计算公式，所述第二计算公式用于计算所述第二测试电压；所述第二计算公式包括第二测试电压参数、测试电流参数、第一电阻参数、第二电阻参数以及第五电阻参数；所述电压调整单元用于根据所述第一测试电压调整所述第三路电源的输出电压值，根据所述第二测试电压调整所述第一路电源的输出电压值；所述结果获取单元用于获取令所述待测MOS开关器件不损坏的所述测试电流的最大值；所述第一计算公式具体为：UA=VDS+ID×R5；其中，UA为第一测试电压，VDS为测试点电压，ID为测试电流，R5为第五电阻的阻值；所述第二计算公式具体为：UC=ID×R5×R1+R2R2；其中，UC为第二测试电压，ID为测试电流，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，R5为第五电阻的阻值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种MOS开关器件的SOA测试系统及测试方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD