申请/专利权人：株式会社电装

申请日：2019-01-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111788661B

主分类号：H01L21/316

分类号：H01L21/316;H01L21/04;H01L29/16

优先权：["20180216 JP 2018-026043"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。

主权项：1.一种碳化硅半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，其中，所述栅极绝缘膜的形成包括通过在氮气氛下热氧化所述碳化硅衬底而在所述碳化硅衬底上形成氧化物膜；所述氧化物膜的厚度等于或大于4nm并且等于或小于45nm；所述氧化物膜的形成在一氧化氮气体的气体浓度等于或大于10％并且热氧化温度等于或大于1300摄氏度的条件下进行；在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜之后，不进行用于终止所述碳化硅衬底的硅的悬空键的氮化处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社电装 碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD