申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2019-09-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN110600870B

主分类号：H01Q1/36

分类号：H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/20;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q15/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.01.14#实质审查的生效;2019.12.20#公开

摘要：本发明公开了一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，包括第一、二、三介质基板，毫米波贴片阵列，短路柱，微带连接线，金属地板，哑铃形缝隙，T形枝节，寄生贴片，馈电线和两对不同长度的开路线；毫米波贴片阵列位于第一介质基板上表面；微带连接线位于第一介质基板下表面；短路柱穿过第一介质基板将毫米波贴片阵列与微带连接线相连；金属地板位于第三介质基板上表面；哑铃形缝隙从金属地板上刻蚀得到；T形枝节和哑铃形缝隙相连；寄生贴片有两个位于哑铃形缝隙两端的槽缝中；馈电线和两对开路线位于第三介质基板下表面。本发明具有较高的谐波抑制，实现了微波辐射结构在毫米波作为馈电结构的复用，可以分别应用于5G系统的微波频段4.8GHz‑5GHz和毫米波频段26GHz28GHz。

主权项：1.一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，其特征在于：包括第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、毫米波贴片阵列、短路柱、微带连接线、金属地板、哑铃形缝隙、T形枝节、寄生贴片、馈电线和两对不同长度的开路线；所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板叠置在一起，该第二介质基板位于第一介质基板和第三介质基板之间，用于隔开第一介质基板和第三介质基板；所述毫米波贴片阵列设在第一介质基板的上表面；所述微带连接线设在第一介质基板的下表面；所述短路柱的数量与毫米波贴片阵列中的毫米波贴片数量相一致，且一个短路柱对应一个毫米波贴片，所述短路柱穿过第一介质基板将毫米波贴片阵列与微带连接线相连；所述金属地板设在第三介质基板的上表面，所述哑铃形缝隙从金属地板上刻蚀得到，其中该哑铃形缝隙在微波频段能够作为辐射结构使用，而在毫米波频段能够作为馈电结构使用；所述T形枝节和哑铃形缝隙相连；所述寄生贴片有两个分别设在哑铃形缝隙两端的槽缝中；所述馈电线和两对不同长度的开路线分别设在第三介质基板的下表面，且在该馈电线的左右两侧对称分布有一个短的开路线和一个长的开路线，该短的开路线和长的开路线与馈电线彼此平行，该短的开路线位于长的开路线和馈电线之间，所述毫米波贴片阵列以馈电线为对称轴分成两部分呈左右镜像对称，所述哑铃形缝隙与馈电线相互垂直，且该哑铃形缝隙的两端、两个寄生贴片及T形枝节的横向部分均以馈电线为对称轴呈左右镜像对称；天线的工作频段为4.8GHz~5GHz和26GHz28GHz。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线

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