申请/专利权人：中国民用航空飞行学院

申请日：2022-03-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114927587B

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/0216;H01L31/109;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.09.06#实质审查的生效;2022.08.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器及制备方法，利用新型三元材料作为主体敏感薄膜层材料，通过差平面隧穿效应达到调制光电探测器电流响应度和响应速度的目的。所述探测器结构从下到上依次包括：衬底、绝缘层、新型三元材料、绝缘氧化物层材料、其他薄膜材料、金属电极。本发明主要针对的是三元量子材料，新型三元材料具有在空气中稳定性、超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能，本发明利用三元材料的这些特性，将其与其他薄膜材料复合制备面隧穿效应光电探测器，可以拓宽器件的响应光谱范围和提高器件光电性能，本发明的器件在隧穿效应的作用下具有响应速度快、响应度高、响应光谱范围广等特点。

主权项：1.一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器，其特征在于，所述探测器结构从下到上依次包括：衬底1、绝缘层2、新型三元材料3、绝缘氧化物层材料4、其他薄膜材料5、金属电极，金属电极包括金属漏电极（6a）和金属源电极（6b）；所述新型三元材料3、绝缘氧化物层材料4、其他薄膜材料5形成平面隧穿结结构，其中，新型三元材料3作为底部光敏层，绝缘氧化物层材料4作为隧穿效应层，其他薄膜材料4作为顶部光敏层；所述的绝缘氧化物层材料4位于新型三元材料3与其他薄膜材料5之间，所述平面隧穿结结构形成隧穿效应区域，增强载流子的传输数量和速度；所述绝缘氧化物层材料4的厚度为2～20纳米；所述新型三元材料3、其他薄膜材料层5的厚度为20～100纳米；所述的新型三元材料3是碲铋锰、碲氧铋、钼硫硒、铁碲硒或铋硒碲；所述的其他薄膜材料（5）为砷化碲；所述的新型三元材料3与金属源电极6b，其他薄膜材料5与金属漏电极6a相连接；所述的新型三元材料3沉积生长在带有绝缘层的衬底上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国民用航空飞行学院 一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器及制备方法

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