申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2019-01-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111435703B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.08.14#实质审查的生效;2020.07.21#公开

摘要：本发明公开一种磁隧穿结装置及其形成方法，该磁隧穿结装置包含两个磁隧穿结元件以及一磁屏蔽层。两个磁隧穿结元件并排设置。磁屏蔽层设置于两个磁隧穿结元件之间。一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一层间层，其中层间层包含一磁屏蔽层。接着，蚀刻层间层，以形成凹槽于层间层中。接续，填入磁隧穿结元件于凹槽中。或者，一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一磁隧穿结层。之后，图案化磁隧穿结层，以形成磁隧穿结元件。而后，形成一层间层于磁隧穿结元件之间，其中层间层包含一磁屏蔽层。

主权项：1.一种磁隧穿结装置，其特征在于，包含：两个磁隧穿结元件，并排设置；以及磁屏蔽层，设置于该两个磁隧穿结元件之间，其中该磁屏蔽层为介电抗磁性材料层，该两个磁隧穿结元件设置于一层间介电层中，且该磁屏蔽层与该层间介电层分别直接接触并仅重叠该两个磁隧穿结元件的部分侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 磁隧穿结装置及其形成方法

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