申请/专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所

申请日：2021-05-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115365230B

主分类号：B08B7/00

分类号：B08B7/00;B08B3/02;B08B13/00;H01L21/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开

摘要：本发明属于激光清洗领域，具体地说是一种均匀水膜晶圆颗粒物无损激光清洗方法。包括以下步骤：1检测待清洗晶圆的颗粒污染物尺寸是否符合清洗范围；若不符合将待清洗晶圆夹持在工作区域中，执行下一步骤，反之，更换晶圆并重复步骤1；2通过去离子水装置的水喷头在待清洗晶圆表面喷水形成一层去离子水膜；3激光清洗：设置激光工艺参数，通过控制夹持机械手，使晶圆法线与激光器发射的激光束形成夹角，设定激光器对待清洗晶圆一表面上进行多次清洗；4对待清洗晶圆进行翻面，通过操作步骤2～3对晶圆的另一表面完成清洗；5检测激光清洗后的晶圆表面颗粒污染物，若残留颗粒污染物超过设定值，返回步骤1，反之，清洗合格。

主权项：1.一种均匀水膜晶圆颗粒物无损激光清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：1通过激光清洗机的颗粒检测仪检测待清洗晶圆的颗粒污染物尺寸是否符合清洗范围；若不符合通过夹持机械手将待清洗晶圆夹持在工作区域中，执行下一步骤，反之，更换晶圆并重复步骤1；2去离子送水：通过去离子水装置的水喷头在待清洗晶圆表面喷水形成一层去离子水膜，以消减激光对晶圆基底的热影响，并冲洗掉颗粒污染物；去离子水装置的水喷头的出水量为：1Lmin～5Lmin，以保持离子水膜厚度，并冲洗清洗掉的颗粒污染物；去离子水膜，其工艺参数包括：厚度不超过2mm；电导率为0.1～0.055uScm，电阻率18MΩ·cm，含盐量0.1mgL，表面温度不大于30℃，根据设定的去离子水膜参数，以削弱对晶圆基底的热影响；3激光清洗：设置激光工艺参数，通过控制夹持机械手，使晶圆法线与激光器发射的激光束形成夹角，设定激光清洗机的激光器对待清洗晶圆一表面上进行多次清洗；步骤3中，所述激光清洗机的激光器为IPG光纤激光器，所述激光器输出八根光纤，所述每根光纤均与激光器光路输出端连接，光路输出端上设有光闸，所述光闸控制一个或多个激光输出至清洗头；所述激光器的输出波长为1064nm，满载功率为500W；步骤3中，所述设置激光工艺参数，包括：平均输出功率30～200W，激光重频75～100KHz，激光扫描宽度不小于100mm，光斑离焦量±20mm，线光斑扫描速率3～4cms；在步骤3中，所述多次清洗中，每一次清洗包括以下步骤：通过所述激光清洗机的激光器上的光闸控制一个或多个激光输出至清洗头，在待清洗晶圆一表面上形成多个光斑并组成线光斑，实现对待清洗晶圆一表面进行扫描辐照；4控制夹持机械手对待清洗晶圆进行翻面，通过操作步骤2～3对晶圆的另一表面完成清洗；5检测激光清洗后的晶圆表面颗粒污染物，若残留颗粒污染物超过设定值，返回步骤1，反之，晶圆激光清洗合格并更换新的待清洗晶圆。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院沈阳自动化研究所 一种均匀水膜晶圆颗粒物无损激光清洗方法

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