申请/专利权人：沃孚半导体公司

申请日：2017-03-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113782596B

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L23/482;H01L27/088;H01L29/40;H01L29/417

优先权：["20160317 US 15/073,201"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.07.21#著录事项变更;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开

摘要：本公开涉及具有旁路栅极结构的晶体管。晶体管器件包括在第一方向上延伸的源极触件、与所述源极触件相邻的在所述第一方向上延伸的栅极指状物以及与所述栅极指状物相邻的漏极触件，其中所述栅极指状物位于所述漏极触件和所述源极触件之间。该器件还包括在所述第一方向上延伸的栅极跳线、连接到所述栅极跳线和所述栅极指状物的栅极总线以及栅极信号分配条，所述栅极信号分配条在所述第一方向上与所述栅极总线间隔开并将所述栅极跳线连接到所述栅极指状物。

主权项：1.一种多单元晶体管，包括：第一单位单元和第二单位单元；所述第一单位单元和第二单位单元共同的源极触件；所述第一单位单元的在第一方向上延伸的第一栅极指状物；所述第二单位单元的在所述第一方向上延伸的第二栅极指状物；以及在所述第一方向上延伸的栅极跳线，其中所述栅极跳线电连接到所述第一栅极指状物和第二栅极指状物，其中，对于所述源极触件的整个长度，所述第一栅极指状物和所述第二栅极指状物均与所述源极触件平行地延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沃孚半导体公司 具有旁路栅极结构的晶体管

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