申请/专利权人：陕西科技大学

申请日：2023-06-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116655369B

主分类号：C04B35/453

分类号：C04B35/453;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64;H01C7/112

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要：本发明公开了一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用，属于压敏材料技术领域，采用分步烧结法，以ZnO为原料，掺杂氧化物烧结后得到氧化物掺杂ZnO陶瓷，在掺杂金属氧化物的ZnO陶瓷中间涂覆氧化物掺杂Bi2O3悬浮液涂，压制得到ZnO陶瓷‑富Bi层‑ZnO陶瓷三层结构坯体；再将其包裹于ZnO粉体内烧结，之后将最外层ZnO完全打磨掉，即得到结构简单的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，包括ZnO陶瓷外层和中间富铋层，基于此结构，ZnO压敏陶瓷中单个双肖特基晶界势垒的结构、性能及导电机理研究具有显著优势，可模拟常规ZnO压敏陶瓷复杂结构中形成的单个ZnO晶粒‑晶界‑ZnO晶粒结构，有望应用于低压压敏器件领域。

主权项：1.一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将ZnO，掺杂氧化物和聚乙烯醇水溶液混合均匀，经球磨混合，造粒，压制，得到ZnO陶瓷，经排胶，烧结后，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；步骤1）中，所述ZnO：掺杂金属氧化物的摩尔百分比为（95-100）：（0-5），且ZnO和掺杂金属氧化物的总质量为10g；所述掺杂金属氧化物为Co2O3，MnO2，SrCO3或Y2O3；所述烧结温度为600-1350℃，烧结时间为1-10h；2）将0.85gBi2O3与0.15g氧化物掺杂，并与聚乙烯醇水溶液混合，加热搅拌后，得到氧化物掺杂Bi2O3悬浮液，静置，将下层沉淀涂覆于步骤1）得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷的表面，在涂覆下层沉淀的表面再放置一片步骤1）得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷，压制得到ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；步骤2）中，所述氧化物为SiO2；3）将步骤2）得到的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内压制，排胶，烧结，将最外层ZnO完全打磨掉，得到仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷；步骤3）中，烧结温度为900-1050℃，烧结时间为1-10h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西科技大学 一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用

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