申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117577554B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L29/417

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明提供一种半导体沟槽形貌的检测方法及检测系统，所述半导体沟槽形貌的检测方法包括：提供半导体衬底，其上具有半导体沟槽；形成第一材料层填充满半导体沟槽；蚀刻去除半导体沟槽内预设厚度的第一材料层；形成第二材料层覆盖半导体衬底的表面、半导体沟槽暴露的侧壁及第一材料层的表面；对半导体衬底执行脱气处理；对第二材料层执行外观缺陷扫描，判断半导体沟槽内的第二材料层是否具有凸出状缺陷，若是，半导体沟槽形貌异常；若否，半导体沟槽形貌正常。本发明中，通过提供一种半导体沟槽形貌的检测方法及检测系统，用以提高检测半导体衬底上半导体沟槽形貌的有效性。

主权项：1.一种半导体沟槽形貌的检测方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，其上具有半导体沟槽；形成第一材料层填充满所述半导体沟槽，形貌异常的所述半导体沟槽内的第一材料层中形成有若干气隙；蚀刻去除所述半导体沟槽内预设厚度的第一材料层以使所述气隙暴露或接近暴露；形成第二材料层覆盖所述半导体衬底的表面、所述半导体沟槽暴露的侧壁及所述第一材料层的表面，所述第二材料层封闭暴露的所述气隙或覆盖所述气隙上方的第一材料层；对所述半导体衬底执行脱气处理，使所述气隙内的气体逸出及具有所述气隙的半导体沟槽的第二材料层呈凸出状；对所述第二材料层执行外观缺陷扫描，判断所述半导体沟槽内的第二材料层是否具有凸出状缺陷，若是，所述半导体沟槽形貌异常；若否，所述半导体沟槽形貌正常。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 半导体沟槽形貌的检测方法及检测系统

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