申请/专利权人：北京超材信息科技有限公司

申请日：2023-10-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117118384B

主分类号：H03H9/05

分类号：H03H9/05;H03H9/10;H03H9/56;H03H9/58;H03H3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开

摘要：本申请提供一种声波元件、声波滤波器以及射频模组，其中声波元件包括：压电晶圆、支撑结构以及上盖层。在围绕压电晶圆的主动功能区的支撑结构设置多个第一通孔，第一通孔中设置电性连接的芯片焊盘和第一导电体。上盖层与支撑结构和主动功能区形成空腔结构，上盖层设有与多个第一通孔对应的第二通孔，第二通孔内设有电性连接的第二导电体和第一导电结构，第二导电体与第一导电体电性连接，在压电晶圆的表面上，第二导电体的正投影面积大于第一导电体的正投影面积，第二导电体的正投影与第一导电体的正投影至少部分重叠；第一导电结构的正投影面积大于等于第一导电体的正投影面积。该声波元件厚度小，可靠性高。

主权项：1.一种声波元件，其特征在于，包括：压电晶圆，所述压电晶圆包括相背设置的第一表面与第二表面，所述压电晶圆的第一表面包括主动功能区；支撑结构，所述支撑结构围绕所述主动功能区，所述支撑结构包括多个第一通孔，所述第一通孔内设置电性连接的芯片焊盘和第一导电体，所述芯片焊盘设置在所述第一导电体与所述压电晶圆的第一表面之间，在所述压电晶圆的第一表面上，所述第一导电体的正投影与所述芯片焊盘的正投影重叠或位于所述芯片焊盘的正投影内；上盖层，所述上盖层包括相背设置的第三表面与第四表面，所述第四表面远离所述压电晶圆，所述上盖层盖设于所述支撑结构，并与所述支撑结构和所述主动功能区形成空腔结构，所述上盖层具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应设置，所述第二通孔内设置电性连接的第二导电体和第一导电结构，所述第二导电体与所述第一导电体电性连接，所述第一导电结构设置在所述第二导电体远离所述压电晶圆的表面上，在所述压电晶圆的第一表面上，所述第二导电体的正投影面积大于所述第一导电体的正投影面积，所述第二导电体的正投影与所述第一导电体的正投影至少部分重叠，所述第一导电结构的正投影面积大于等于所述第一导电体的正投影面积；所述声波元件还包括第二导电结构，所述第二导电结构设置在所述第一导电结构远离所述压电晶圆的表面，所述第二导电结构的厚度小于等于80um；所述声波元件还包括多个第三导电结构，所述第三导电结构与所述第二导电结构一一对应设置，所述第三导电结构设置在所述第二导电结构远离所述第一导电结构的表面，在所述压电晶圆的第一表面上，所述第三导电结构的正投影与所述第一导电结构正投影至少部分不重合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京超材信息科技有限公司 声波元件、声波滤波器及射频模组

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