申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-12-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113257327B

主分类号：G11C17/16

分类号：G11C17/16;G11C17/18;H10B20/25

优先权：["20200211 US 16/788,245"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本发明公开了存储器器件及其布局和制造方法。存储器器件包括第一晶体管。所述第一晶体管包括沿第一方向彼此间隔开的一个或多个第一半导体纳米结构。一个或多个第一半导体纳米结构中的每个具有沿垂直于第一方向的第二方向的第一宽度。存储器器件还包括串联耦合到第一晶体管的第二晶体管。第二晶体管包括沿第一方向彼此间隔开的一个或多个第二半导体纳米结构。一个或多个第二半导体纳米结构中的每个具有沿第二方向的第二不同宽度。

主权项：1.一种存储器器件，包括：第一晶体管，包括：一个或多个第一半导体纳米结构，沿第一方向彼此间隔开，所述一个或多个第一半导体纳米结构中的每个具有沿垂直于所述第一方向的第二方向的第一宽度；以及第二晶体管，串联耦合到所述第一晶体管，包括：一个或多个第二半导体纳米结构，沿所述第一方向彼此间隔开，所述一个或多个第二半导体纳米结构中的每个具有沿所述第二方向的第二不同宽度，第一栅极金属，围绕所述一个或多个第一半导体纳米结构中的每个，其中设置有第一栅极电介质；以及第二栅极金属，围绕所述一个或多个第二半导体纳米结构中的每个，其中设置有第二栅极电介质。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器器件及其布局和制造方法

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