申请/专利权人：南京国博电子股份有限公司

申请日：2023-08-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652310U

主分类号：H01P1/20

分类号：H01P1/20;H03H1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型公开了一种滤波器和电子装置，滤波器包括：素体，由一个或多个电介质层沿层叠方向层叠形成；多层谐振器，包括第一多层谐振器、第二多层谐振器和第三多层谐振器，多层谐振器包含第一导体结构、第二导体结构和第三导体结构、两个通路导体；第一信号传输端和第二信号传输端，第一信号传输端与第一多层谐振器耦合，第二信号传输端与第二多层谐振器耦合；以及，耦合用容性结构，由形成在素体内部或素体表面的金属化的电极耦合构成，配置在所述第一多层谐振器和所述第二多层谐振器之间的耦合路径上。第一多层谐振器与第二多层谐振器耦合，第三多层谐振器同时与第一多层谐振器、第二多层谐振器耦合。

主权项：1.一种滤波器，其特征在于，包括：素体，所述素体由一个或多个电介质层沿层叠方向层叠形成；多层谐振器，包括第一多层谐振器、第二多层谐振器和第三多层谐振器，所述多层谐振器包含第一导体结构、第二导体结构和第三导体结构、两个通路导体；所述第一导体结构、所述第二导体结构和所述第三导体结构沿所述层叠方向层叠设置，所述两个通路导体沿所述层叠方向在所述素体中延伸；第一信号传输端和第二信号传输端，所述第一信号传输端与所述第一多层谐振器耦合，所述第二信号传输端与所述第二多层谐振器耦合；以及，耦合用容性结构，由形成在所述素体内部或所述素体表面的金属化的电极耦合构成，配置在所述第一多层谐振器和所述第二多层谐振器之间的耦合路径上；所述第一多层谐振器与所述第二多层谐振器耦合，所述第三多层谐振器同时与所述第一多层谐振器、所述第二多层谐振器耦合；所述第一多层谐振器和所述第三多层谐振器在与第一方向垂直的面上的投影存在交叠，且所述第二多层谐振器和所述第三多层谐振器在与所述第一方向垂直的面上的投影存在交叠；所述第一方向垂直于所述层叠方向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京国博电子股份有限公司 一种滤波器和电子装置

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