申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117758208A

主分类号：C23C14/08

分类号：C23C14/08;C23C14/30;C23C14/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种粗化ITO膜层制备装置，包括腔体，腔体内部设有离子枪、坩埚、镀锅、加热组件和五组氩气供应组件，镀锅位于坩埚的上方，加热组件设于镀锅外周的腔体内壁上，离子枪位于坩埚及五组氩气供应组件的一侧，五组氩气分节供应组件均匀间隔分布于坩埚的外周，每组氩气供应组件包括氩气供气管、控制氩气供气管气体流量的气管开关、磁场线圈和控制线圈电流启闭的线圈开关，每个氩气供气管均与外界氩气源连接，且其出气口均朝向坩埚中心位置设置。采用本发明粗化ITO膜层制备方法，相较于常规方法更加方便快捷，制备的粗化ITO膜层稳定性好、厚度可控，减少了物料、设备等成本浪费。

主权项：1.一种粗化ITO膜层制备装置，其特征在于：包括腔体，所述腔体内部设有离子枪、坩埚、镀锅、加热组件和五组氩气供应组件，所述镀锅位于坩埚的上方，所述加热组件设于镀锅外周的腔体内壁上，所述离子枪位于坩埚及五组氩气供应组件的一侧，五组所述氩气分节供应组件均匀间隔分布于坩埚的外周，每组所述氩气供应组件包括氩气供气管、控制氩气供气管气体流量的气管开关、磁场线圈和控制线圈电流启闭的线圈开关，每个所述氩气供气管均与外界氩气源连接，且其出气口均朝向坩埚中心位置设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 一种粗化ITO膜层制备装置及制备方法

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