申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117767109A

主分类号：H01S5/042

分类号：H01S5/042;H01S5/024;H01S5/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器，制作方法包括：提供衬底，在衬底表面形成掩膜层；刻蚀掩膜层以在掩膜层上制备条形窗口；在条形窗口内依次生长n型覆盖层以及n型限制层，以形成n型脊型波导；在n型限制层表面生长外延结构；在外延结构上形成电流扩展层，并在电流扩展层表面形成p型电极；去除衬底，并在n型覆盖层表面形成n型电极。本发明的一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器，无需刻蚀n型区即可完成对n型区的脊型波导的制备，提高激光器的发光性能的同时，还大大简化了半导激光器的倒装工艺，增大了p型接触层的欧姆接触面积，有利于整体器件的散热。

主权项：1.一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层以在所述掩膜层上制备条形窗口；在所述条形窗口内依次生长n型覆盖层以及n型限制层，以形成n型脊型波导；在所述n型限制层表面生长外延结构；在所述外延结构上形成电流扩展层，并在所述电流扩展层表面形成p型电极；去除所述衬底，并在所述n型覆盖层表面形成n型电极，获得半导体激光器外延片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器

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